内容简介
《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》共分8章，内容包括当前CMOS VLSI设计的技术趋势，半导体制造的前期技术，当前和未来CMOS器件中的工艺参数偏差及其影响，通过版图分析实现光刻控制的基本原理及重要的光刻参数和概念，半导体制造中出现的多种制造缺陷，粒子缺陷和基于图形的缺陷对电路工作性能的影响，可靠性问题的表现及其影响，CAD工具和方法的变化等。
本书的目的是将读者引入可制造性和可靠性设计的世界，我们将重点更多地放在原理和概念上，而非每个主题的细节。每章的很后都有参考文献，供读者进行更深入的学习。为了理解本书的内容，读者需要对VLSI设计原则有一定的了解，包括标准单库的特征化和物理版图的发展。
《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》广泛涉及成本、约束条件、计算效率以及方法等问题，因此，既可作为高年级本科生或低年级研究生的教材，也可以供相关设计......
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